الدعم الإداري

شركة هواوي الصينية تكشف عن إنجاز كبير في تصميم الرقائق الإلكترونية

العمل على دقة حفر تتجاوز قانون مور جاري في مراكز البحث الغربية و ربما سنشاهد عمليات انتاج تجاري لرقائق 0.2 nm بشكل اسرع مما نتوقع ..

 
العمل على دقة حفر تتجاوز قانون مور جاري في مراكز البحث الغربية و ربما سنشاهد عمليات انتاج تجاري لرقائق 0.2 nm بشكل اسرع مما نتوقع ..


معظم الذرات (مثل الكربون أو الهيدروجين) قطرها يقارب (0.1) إلى (0.2) نانومتر، لذا فإن مسافة 0.2 تتسع غالباً لذرة واحدة.

شيئ جنوني
 
سلّمت شركة ASML أول جهاز طباعة ضوئية بالأشعة فوق البنفسجية القصوى (EUV) عالي الفتحة العددية (High NA) في العالم إلى شركة إنتل في نهاية العام الماضي. وفي الوقت نفسه، تُجري الشركة أبحاثًا لتطوير جهاز طباعة ضوئية بالأشعة فوق البنفسجية القصوى (EUV) فائق القوة وعالي الفتحة العددية (Hyper NA)، والذي من المتوقع أن يُحسّن عملية تصنيع أشباه الموصلات إلى حوالي 0.2 نانومتر، أو 2 أنغستروم.

تبلغ قيمة فتحة جهاز الطباعة الحجرية بالأشعة فوق البنفسجية منخفضة الفتحة العددية من الجيل الأول من ASML 0.33 فقط، ويطلق على المنتج المقابل اسم سلسلة NXE، بما في ذلك 3400B/C و3600D و3800E الحالية، و4000F و4200G و4X00 المستقبلية.

من المتوقع أن تتمكن هذه السلسلة من الإنتاج الضخم بتقنية 2 نانومتر بحلول عام 2025، وسيتعين إضافة عمليات تعريض متعددة بعد ذلك. ومن المتوقع أن تحقق الإنتاج الضخم بتقنية 1.4 نانومتر بحلول عام 2027.

تمت ترقية آلة الطباعة الحجرية ذات الفتحة العددية العالية إلى 0.55، بما يتوافق مع سلسلة منتجات EXE، بما في ذلك 5000 و5200B الحالية، و5400 و5600 و5X00 المستقبلية.

ستبدأ هذه التقنية من عملية تصنيع أقل من 2 نانومتر. أول منتج لشركة إنتل سيكون معالج 14A بتقنية 1.4 نانومتر. من المتوقع أن يبدأ الإنتاج الضخم لتقنية 1 نانومتر بحلول عام 2029 تقريبًا. ومع تكرار التجارب، يمكن بدء الإنتاج الضخم لتقنية 0.5 نانومتر بحلول عام 2033 تقريبًا، ويمكن دعم تقنية 0.7 نانومتر على الأقل.

20240617093058132.png


من المتوقع أن تصل آلة الطباعة الحجرية Hyper NA التالية إلى 0.75 أو حتى أعلى وسيتم إطلاقها حوالي عام 2030. وسيطلق على المنتج المقابل اسم سلسلة HXE.

تقدر شركة ASML أن آلة الطباعة الحجرية Hyper AN قد تكون قادرة على تحقيق الإنتاج الضخم بتقنية 0.2 نانومتر أو حتى عمليات أكثر تقدماً، ولكن هذا ليس مؤكداً تماماً في الوقت الحالي.

تجدر الإشارة إلى أن قطر ذرة السيليكون الواحدة يبلغ حوالي 0.1 نانومتر، لكنّ تقنيات التصنيع المذكورة أعلاه لا تمثل الأحجام الفيزيائية الفعلية للترانزستورات، بل هي مجرد مصطلحات مكافئة تستند إلى نسبة معينة من التحسين في الأداء وكفاءة الطاقة.

على سبيل المثال، بالنسبة لعملية 0.2 نانومتر، فإن المسافة الفعلية بين طبقات المعدن في الترانزستور تبلغ حوالي 16-12 نانومتر، وستستمر في التقلص إلى 14-10 نانومتر.

20240617093057781.png




ستشترك آلات الطباعة الحجرية منخفضة/عالية/فائقة في منصة EUV واحدة، وسيكون عدد كبير من الوحدات قابلاً للتبديل مع بعضها البعض، مما يقلل بشكل كبير من تكاليف البحث والتطوير والتصنيع والنشر.

مع ذلك، يبلغ سعر آلة الطباعة الحجرية عالية الفتحة العددية الواحدة حاليًا حوالي 350 مليون يورو، ومن المتوقع أن يستمر سعر آلات الطباعة الحجرية فائقة الفتحة العددية في الارتفاع بشكل ملحوظ، وهي تقترب أكثر فأكثر من الحد الأقصى المادي. لذا، من الناحية التقنية أو الاقتصادية، لا أحد يعلم ما سيؤول إليه مصير تقنية الطباعة الحجرية فائقة الفتحة العددية بعد ذلك.

قال كورت رونس، مدير مشروع مركز أبحاث الإلكترونيات الدقيقة التابع لمركز أبحاث الإلكترونيات الدقيقة (Imec)، بتشاؤم: "من غير المعقول أن تكون مكونات الجهاز بحجم 0.2 نانومتر فقط، وهو ما يعادل عرض ذرتين. ربما في مرحلة ما، ستنتهي تقنية الطباعة الحجرية الحالية حتماً."

20240617093057937.png
 
الرسمي أن الصين ستنتح 1.4 نانومتر في 2031 انتاج الة EUV تجاريا هذه السنة او السنة المقبلة لا يعني أن الامرين يتعارضان مع بعض ... آلة EUV ستنتح 5 و 7 و ربما حتى 3 نانومتر إلى حين حلول 2031 لإنتاج 1.4 نانومتر

المشكلة انك شخص يحب الجدال و التشكيك في ردود الآخرين فقط لغاية في نفسك اعتذر عن هذا لكني لا أحب النفاق مع الآخرين

انت نفسك شككت في تويتات الصينين في و قلت انها هبد و عندما رويتز ذكرت الموضوع فتحت انت بنفسك موضوع عنه ربما لانك لا تعرف ان تويتات الصينين و رويتز تتحدث عن نفس الامر

المشكلة الثانية انني امتلك ذاكرة جيدة

مشاهدة المرفق 864273مشاهدة المرفق 864274مشاهدة المرفق 864275مشاهدة المرفق 864276
ي عزيزي مثلا الشركة الهولندية انتجت euv ب ٢٠١٣ وضلت تعاني بالضوء وقلة الكفاءة حتى وصلو لمنتج مناسب ب ٢٠١٨ يعني بعد خمس سنين


الصين نموذجها الاولي للان يعاني وحتى لو وصلو لتجاري بالسنه القادمة (مستحيل) ستكون الهولندية انتجت نسخة اجدد واقوى فعليا الشركة هذه اسطورة
 
ي عزيزي مثلا الشركة الهولندية انتجت euv ب ٢٠١٣ وضلت تعاني بالضوء وقلة الكفاءة حتى وصلو لمنتج مناسب ب ٢٠١٨ يعني بعد خمس سنين


الصين نموذجها الاولي للان يعاني وحتى لو وصلو لتجاري بالسنه القادمة (مستحيل) ستكون الهولندية انتجت نسخة اجدد واقوى فعليا الشركة هذه اسطورة
هل قرات ردي السابق هل تتابع هذه الاخبار الان فقط ؟ انا اتابعها منذ 9 سنوات على الأقل الصينيين انتجو إلة DUV بتقنية حفر 5 nm متر قبل 7 سنوات من الان !!!

لا اسطورة و لا شيئ هل تعلم عدد الدول و الشركات الغربية التي تدعم ASML ؟؟؟ ... حتى الروس كانو يوردون الابتكارات لشركة ASML لتجهيز احدى الالتها معلومة قد لا يصدقها الكثير لكنها حقيقة فعليا ASML مع التعاون الدولي و الدعم الغربي و الشرقي بها حتى اصبح عالمي كان المفروض تصل إلى 0.2 nm الان و ليس بعد 10 او 15 سنة مستقبلا
 
التعديل الأخير:
لايبدو ان 1.4 nm المقصودة هي دقة الحفر التي سيصل إليها الصينيين في 2031 الغريب انهم يضعونها هكذا في موقعهم الرسمي 1.4 nm هناك من يقول أن تقنية هواوي الجديدة تعطي نفس نتائج معالجات TSMC اي ان تقنية الحفر الشركة الصينية قد تكون 3 nm بينما قدرة المعالج تعادل قدرة معالجات 1.4 nm من TSMC و هناك من يقول العكس اي ان الشركة الصينية ستتجاوز قانون مور إلى 0.5 nm في 2031 إلى حين التأكد و الحصول على معلومات اضافية ساتكلم عن الامر

مشاهدة المرفق 864348
يبدو ان هواوي لن تصل لتقنية حفر 1.4 nm سنة 2031 بل الرقائق التي سيصنعونها احتمال ستكون بتقنية حفر 2 nm او 3 nm بقدرة مثيلاتها من 1.4 nm ... على كل سنظطر إلى انتظار حتى سنة 2031 لنرى النتيجة

 
يبدو ان هواوي لن تصل لتقنية حفر 1.4 nm سنة 2031 بل الرقائق التي سيصنعونها احتمال ستكون بتقنية حفر 2 nm او 3 nm بقدرة مثيلاتها من 1.4 nm ... على كل سنظطر إلى انتظار حتى سنة 2031 لنرى النتيجة


فعليا الان الصين على بعد خطوة واحدة من اللحاق باليابان بكوريا و تايوان امريكا و أوروبا (حوالي 5-7 سنوات) ... صحيح انها متاخرة لكن الوحش استيقض و فات الاوان على جدوى معاقباها وقفها عن التطور و التقدم فعليا مسالة وقت فقط و ستلحق الركب ان لم تتجاوزهم مستقبلا على مدى العقدين القادمين
 
‏هواوي تلمّح لعودة قوية جدًا مع سلسلة Mate 90! 🚀📱
بعد إعلانها عن معمارية LogicFolding وقانون Tao Scaling Law، الشركة أكدت إن الجيل القادم من معالجات Kirin بيكون أقوى بكثير، وبيشغل هواتف Mate 90 القادمة هذا الخريف 🔥
الأهم؟
المعالج الجديد ما قالت هواوي إنه 3 نانومتر فعليًا، لكن قالت إنه بيقدم أداء بمستوى شرائح 3nm الحديثة! 😮
📌 بحسب كلامها:
- كثافة الترانزستورات ارتفعت 53.5%
- الأداء تحسن 41%
- التردد الأقصى زاد 12.7%
- وكفاءة الطاقة صارت أفضل
يعني باختصار: هواوي تحاول تدخل سباق المعالجات من باب مختلف، مو بتصغير الدقة فقط، لكن بمعمارية جديدة بالكامل 👀
اسم الشريحة الجديدة للحين ما انكشف، لكن الواضح إن Mate 90 جاي ومعه شيء كبير جدًا.

 
المدير الشريك في Venture X يوسف حميد الدين:

📌 الصين وأميركا تتعاملان مع قطاع الذكاء الاصطناعي كقضية أمن قومي

📌 الخرق الجديد من هواوي هو قدرتها على تجاوز قيود التكنولوجيا الأميركية بالاعتماد على SMIC والتصنيع محلياً

📌 السباق الآن يشبه إطلاق قنبلة نووية صينية خلال 5 سنوات عبر شرائح تكنولوجيا متطورة تفاجئ العالم

 
الشركات التايوانية و الكورية و اليابانية و امريكية ستظطر مستقبلا إلى إستعمال نفس التقنية التي تستعملها هواوي حاليا بلاشك لديها بحوث و ابتكارات و هذا سيضر بالمنافسة الدولية لشركة الصينية لانها عوض ان تصبح متاخرة ب 3 سنوات ستصبح متاخرة ب 7 سنوات لانها مسالة تتعلق بالتغليف و الترتيب و اعادة هندسة و إستعمال مواد جديدة و ليس زيادة في دقة الحفر .... الشركات الصينية اذا ارادت البقاء على نفس الدرجة التقنية من التقدم مع الدول التي ذكرتها لابد لها من ان تستثمر في تقنيات المستقبلية مخطط لها 15-20 سنة كما تفعل تلك الدول

 
حسب هذه الارقام أعتقد أن الصين سنة 2031 ستطرح تجاريا معالجات بدقة حفر 2 nm تعادل كفائة دقة حفر 1.4 nm بفضل طريقة التغليف و الترتيب و الهندسة و المواد الجديدة

 
الشركات التايوانية و الكورية و اليابانية و امريكية ستظطر مستقبلا إلى إستعمال نفس التقنية التي تستعملها هواوي حاليا بلاشك لديها بحوث و ابتكارات و هذا سيضر بالمنافسة الدولية لشركة الصينية لانها عوض ان تصبح متاخرة ب 3 سنوات ستصبح متاخرة ب 7 سنوات لانها مسالة تتعلق بالتغليف و الترتيب و اعادة هندسة و إستعمال مواد جديدة و ليس زيادة في دقة الحفر .... الشركات الصينية اذا ارادت البقاء على نفس الدرجة التقنية من التقدم مع الدول التي ذكرتها لابد لها من ان تستثمر في تقنيات المستقبلية مخطط لها 15-20 سنة كما تفعل تلك الدول


tsmc-packaging-roadmap-2020-2030_t.jpg
 
دعاية صينية حتى يتم الاثبات على أرض الواقع
الفكرة أصلا ليست جديدة نفس افكار تسعى خلفها tsmc مع اختلافات . فعليا الصين مازالت متاخرة بحوالي 5-7 سنوات مع ذلك الصين تقوم بعمل خرافي العالم كلو في كفة و الصين وحدها في كفة لو تم على سبيل المثال عزل امريكا عن العالم كما تم في الحالة الصينية التي تم معاقبتها بقطعها عن كل التقنيات العالمية المتقدمة فلن تستطيع امريكا حتى صناعة رقائق 14 nm على مدار 10 سنوات من البحوث بمفردها

tsmc-packaging-roadmap-2020-2030_t.jpg
 
الشركات التايوانية و الكورية و اليابانية و امريكية ستظطر مستقبلا إلى إستعمال نفس التقنية التي تستعملها هواوي حاليا بلاشك لديها بحوث و ابتكارات و هذا سيضر بالمنافسة الدولية لشركة الصينية لانها عوض ان تصبح متاخرة ب 3 سنوات ستصبح متاخرة ب 7 سنوات لانها مسالة تتعلق بالتغليف و الترتيب و اعادة هندسة و إستعمال مواد جديدة و ليس زيادة في دقة الحفر .... الشركات الصينية اذا ارادت البقاء على نفس الدرجة التقنية من التقدم مع الدول التي ذكرتها لابد لها من ان تستثمر في تقنيات المستقبلية مخطط لها 15-20 سنة كما تفعل تلك الدول


الفكرة أصلا ليست جديدة نفس افكار تسعى خلفها tsmc مع اختلافات . فعليا الصين مازالت متاخرة بحوالي 5-7 سنوات مع ذلك الصين تقوم بعمل خرافي العالم كلو في كفة و الصين وحدها في كفة لو تم على سبيل المثال عزل امريكا عن العالم كما تم في الحالة الصينية التي تم معاقبتها بقطعها عن كل التقنيات العالمية المتقدمة فلن تستطيع امريكا حتى صناعة رقائق 14 nm على مدار 10 سنوات من البحوث بمفردها

مشاهدة المرفق 864648
تقنية طي ثلاثي ابعاد من كوريا

 
التعديل الأخير:
الطرح الذي قدمته هواوي حول الوصول إلى كثافة تعادل 1.41.4 نانومتر بحلول عام 2031 يجب فهمه بدقة ضمن سياقين مختلفين: التسمية التسويقية للعقد التصنيعية مقابل القدرة الفعلية على التصنيع الفيزيائي.

أولاً، مصطلح “1.41.4 نانومتر” لم يعد يعكس طول البوابة الفعلي للترانزستور كما كان سابقًا، بل أصبح مؤشرًا تسويقيًا لكثافة الترانزستورات وتحسينات الأداء. حتى الشركات الرائدة مثل TSMC تتعامل مع هذه الأرقام كأجيال تقنية وليس قياسات هندسية دقيقة.

ثانيًا، ما أعلنته هواوي لا يعني بالضرورة أنها ستصل إلى نفس مستوى التصنيع المتقدم لدى TSMC أو Samsung من حيث الليثوغرافيا المتطورة (خصوصًا EUV)، بل يشير إلى نهج بديل لتعويض القيود التقنية عبر:
  • تحسين بنية التصميم الداخلي للرقائق (مثل LogicFolding)
  • تقليل مسافات نقل الإشارة داخل الشريحة
  • الاعتماد على تقنيات “ما بعد قانون مور” مثل التغليف المتقدم والرقائق المعيارية (chiplets)
بمعنى أدق، هواوي تتحدث عن تحقيق كثافة أو أداء مكافئ لعقدة 1.41.4 نانومتر، وليس بالضرورة تصنيع ترانزستورات فعلية بهذا الحجم.

ثالثًا، من الناحية الواقعية:
  • الوصول الفيزيائي لعقدة 1.41.4 نانومتر يتطلب تقنيات تصنيع شديدة التعقيد (مثل High-NA EUV) والتي لا تزال خارج متناول الصين بسبب القيود الأمريكية.
  • لكن تحقيق أداء مكافئ عبر الابتكار المعماري والتغليف المتقدم هو مسار ممكن، وتتبعه بالفعل الصناعة عالميًا.
مثال توضيحي:
يمكن مقارنة ذلك بمحاولة زيادة سرعة مدينة ليس عبر توسيع الطرق (تصغير الترانزستور)، بل عبر تحسين تخطيط المرور وتقليل المسافات بين النقاط الحيوية النتيجة قد تكون أداءً مشابهًا دون تغيير “حجم الطريق” نفسه.


تصريح هواوي ليس اختراقًا تقنيًا مباشرًا في التصنيع عند 1.41.4 نانومتر، بل هو إعادة تعريف لمسار التقدم التقني في ظل القيود، مع التركيز على الكفاءة المعمارية بدل التصغير الفيزيائي البحت. النجاح في هذا المسار ممكن جزئيًا، لكنه لا يلغي الفجوة القائمة في تقنيات التصنيع المتقدمة.
 

المواضيع المشابهة

عودة
أعلى